PMV120ENEAR 与 BSR606N H6327 区别
| 型号 | PMV120ENEAR | BSR606N H6327 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMV120ENEAR | A-BSR606N H6327 |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.60mm |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.615W | - |
| 输出电容 | 24pF | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23 | - |
| 工作温度 | 175°C | - |
| 连续漏极电流Id | 2.1A | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 输入电容 | 196pF | - |
| 长度 | - | 3mm |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 123mΩ@2.1A,10V | - |
| 高度 | - | 1.10mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMV120ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 N-Channel 0.615W 175°C ±20V 60V 2.1A 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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RK7002BMHZGT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
250mA 350mW 2.4Ω@250mA,10V 60V ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C N-Channel 车规 |
￥0.1172
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1,155 | 对比 | ||||
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AO3422 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 55V ±12V 2.1A 1.25W 160mΩ@2.1A,4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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BSR606N H6327 | Infineon | 小信号MOSFET |
N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
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DMN6140LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 700mW(Ta) 140mΩ@1.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.3A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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RK7002BMHZGT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
250mA 350mW 2.4Ω@250mA,10V 60V ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C N-Channel 车规 |
￥0.1172
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0 | 对比 |
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